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BLC9G22XS-120AGWTZ
Ampleon USA Inc.
RF MOSFET LDMOS 28V SOT1278-1
3400 새로운 원본 재고 있음
RF Mosfet 28 V 200 mA 2.11GHz ~ 2.2GHz 17.1dB 120W SOT1278-1
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BLC9G22XS-120AGWTZ

제품 개요

12977644

부품 번호

BLC9G22XS-120AGWTZ-DG
BLC9G22XS-120AGWTZ

설명

RF MOSFET LDMOS 28V SOT1278-1

재고

3400 새로운 원본 재고 있음
RF Mosfet 28 V 200 mA 2.11GHz ~ 2.2GHz 17.1dB 120W SOT1278-1
RF FETs, MOSFETs
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BLC9G22XS-120AGWTZ 기술 사양

카테고리 트랜지스터, FETs, MOSFETs, RF FETs, MOSFETs

제조사 Ampleon

포장 -

시리즈 BLC

제품 상태 Obsolete

기술 LDMOS

구성 Dual, Common Source

빈도 2.11GHz ~ 2.2GHz

이득 17.1dB

전압 - 테스트 28 V

정격 전류(암페어) 1.4µA

잡음 지수 -

전류 - 테스트 200 mA

전력 - 출력 120W

전압 - 정격 65 V

실장 형 Surface Mount

패키지 / 케이스 SOT-1278-1

공급업체 장치 패키지 SOT1278-1

기본 제품 번호 BLC9

데이터 시트 및 문서

데이터시트

BLC9G22XS-120AGWT

HTML 데이터시트

BLC9G22XS-120AGWTZ-DG

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부 ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL) 3 (168 Hours)
REACH 상태 REACH Unaffected
증권 시세 표시기 OBSOLETE

추가 정보

다른 이름들
934960169517
1603-BLC9G22XS-120AGWTZDKR-DG
1603-BLC9G22XS-120AGWTZTR
1603-BLC9G22XS-120AGWTZDKR
1603-BLC9G22XS-120AGWTZCT
1603-BLC9G22XS-120AGWTZ
1603-BLC9G22XS-120AGWTZTR-DG
1603-BLC9G22XS-120AGWTZCT-DG
표준 패키지
20

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자주 묻는 질문 (FAQ)

RF MOSFET BLC9G22XS-120AGWTZ의 주요 기능은 무엇인가요?

BLC9G22XS-120AGWTZ는 2.11GHz에서 2.2GHz 주파수 범위 내에서 증폭용으로 설계된 고출력 RF MOSFET로, 최대 120W의 출력 전력과 17.1dB의 이득을 제공합니다.

이 RF MOSFET은 고주파 RF 증폭 회로에 적합한가요?

네, 이 RF MOSFET은 2.11GHz부터 2.2GHz까지의 고주파 RF 증폭 회로에 최적화되어 있어 여러 RF 통신 및 방송 애플리케이션에 적합합니다.

BLC9G22XS-120AGWTZ MOSFET의 주요 사양은 무엇인가요?

주요 사양에는 최대 전압 28V, 드레인 전류 200mA, 출력 전력 120W, 이득 17.1dB가 포함되며, 소형 기기 설계에 적합한 SOT-1278-1 표면실장 패키지를 채택하고 있습니다.

이 MOSFET은 RoHS 기준을 충족하나요? 그리고 어떤 패키지 형식을 사용하나요?

네, 이 MOSFET은 RoHS 3 규격을 준수하여 친환경 제조가 가능하며, RF 회로 보드에 손쉽게 통합할 수 있는 SOT-1278-1 표면실장 패키지로 제공됩니다.

이 RF MOSFET의 재고 상황과 보증 정책에 대해 알고 싶어요.

BLC9G22XS-120AGWTZ는 3,154개 이상의 재고가 있으며 즉시 구매 가능하지만, 이 제품은 단종되어 새로운 설계에는 적합하지 않을 수 있습니다. 구매처에 보증 및 지원 정책을 확인하시기 바랍니다.

품질 보증 (QC)

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