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BLF6G10LS-200RN
Ampleon USA Inc.
RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B
1529 새로운 원본 재고 있음
RF Mosfet 28 V 1.4 A 700MHz ~ 1GHz 20dB 200W SOT502B
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BLF6G10LS-200RN
제품 개요
12968160
부품 번호
BLF6G10LS-200RN-DG제조사
Ampleon USA Inc.
BLF6G10LS-200RN
설명
RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B재고
1529 새로운 원본 재고 있음
RF Mosfet 28 V 1.4 A 700MHz ~ 1GHz 20dB 200W SOT502B
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BLF6G10LS-200RN 기술 사양
카테고리
트랜지스터, FETs, MOSFETs, RF FETs, MOSFETs
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
기술
LDMOS
빈도
700MHz ~ 1GHz
이득
20dB
전압 - 테스트
28 V
정격 전류(암페어)
4.2µA
잡음 지수
-
전류 - 테스트
1.4 A
전력 - 출력
200W
전압 - 정격
65 V
실장 형
Chassis Mount
패키지 / 케이스
SOT-502B
공급업체 장치 패키지
SOT502B
데이터 시트 및 문서
HTML 데이터시트
BLF6G10LS-200RN-DG
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
추가 정보
다른 이름들
934063255135
1603-BLF6G10LS-200RNTR
표준 패키지
100
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
12월 02, 2025
在遇到技術問題時，他們的售後服務人員提供非常細心的協助，令人感動。
12월 02, 2025
スタッフの対応がとても気持ちよく、また利用したいと思います。
12월 02, 2025
Their products are resilient, handling drops and spills without performance issues.
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자주 묻는 질문 (FAQ)
RF MOSFET인 BLF6G10LS-200RN의 주요 특징은 무엇인가요?
RF MOSFET인 BLF6G10LS-200RN은 200W의 고출력과 700MHz에서 1GHz까지의 주파수 범위, 20dB의 이득을 제공하며, 고효율과 신뢰성을 요구하는 RF 애플리케이션에 적합하도록 설계되었습니다.
BLF6G10LS-200RN은 고주파 RF 증폭 회로에 적합한가요?
네, 이 MOSFET은 700MHz에서 1GHz 범위의 RF 증폭을 위해 특수 설계되었으며, RF 송신기 및 기타 고주파 RF 회로에 이상적입니다.
BLF6G10LS-200RN의 호환성과 패키지 타입은 무엇인가요?
이 소자는 SOT-502B 패키지로 제공되며, 섀시 장착이 가능하여 내구성과 간편한 설치가 필요한 응용 분야에 적합합니다.
이 RF MOSFET에 대한 안전 또는 환경 인증서가 있나요?
네, BLF6G10LS-200RN은 RoHS3 기준을 준수하며 REACH 규제 영향을 받지 않아 환경 안전 규정을 충족합니다.
BLF6G10LS-200RN은 아직 구매 가능하며, 재고 상황은 어떻게 되나요?
현재 약 1,837개가 재고로 있지만, 이 제품은 단종 예정이므로 주문 전에 재고 유무를 반드시 확인하시기 바랍니다.
품질 보증 (QC)
DiGi은 전문 검수와 배치 샘플링을 통해 모든 전자 부품의 품질과 진위를 보장하여 신뢰할 수 있는 소싱, 안정적인 성능, 기술 사양 준수를 보장합니다. 이를 통해 고객이 공급망 위험을 줄이고 생산에 신뢰할 수 있는 부품을 사용할 수 있도록 지원합니다.
BLF6G10LS-200RN CAD Models
Ampleon USA Inc. BLF6G10LS-200RN PCB symbols & footprints
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