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IMZA120R007M1HXKSA1
Infineon Technologies
SIC DISCRETE
89088 새로운 원본 재고 있음
N-Channel 1200 V 225A (Tc) 750W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8
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IMZA120R007M1HXKSA1
제품 개요
12999225
부품 번호
IMZA120R007M1HXKSA1-DG
IMZA120R007M1HXKSA1
설명
SIC DISCRETE재고
89088 새로운 원본 재고 있음
N-Channel 1200 V 225A (Tc) 750W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8
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IMZA120R007M1HXKSA1 기술 사양
카테고리
트랜지스터, FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
포장
Tube
시리즈
CoolSiC™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압(Vdss)
1200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
225A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
15V, 18V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
9.9mOhm @ 108A, 18V
Vgs(일) (최대) @ Id
5.2V @ 47mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
220 nC @ 18 V
Vgs(최대)
+20V, -5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
9170 nF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
750W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO247-4-8
패키지 / 케이스
TO-247-4
데이터 시트 및 문서
데이터시트
IMZA120R007M1H
HTML 데이터시트
IMZA120R007M1HXKSA1-DG
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
추가 정보
다른 이름들
SP005425973
448-IMZA120R007M1HXKSA1
표준 패키지
30
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
12월 02, 2025
Des prix très intéressants et un emballage écologique, c’est ce qui me fait continuer à faire mes achats chez DiGi Electronics.
12월 02, 2025
DiGi Electronics se distingue par ses prix abordables et un service après-vente de grande qualité.
12월 02, 2025
Bei DiGi Electronics stimmt die Qualität, und die Versandzeiten sind stets eingehalten worden.
12월 02, 2025
Post-purchase support was attentive and resolved my concerns swiftly, excellent service.
12월 02, 2025
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12월 02, 2025
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12월 02, 2025
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12월 02, 2025
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자주 묻는 질문 (FAQ)
Infineon CoolSiC™ N-채널 MOSFET (IMZA120R007M1HXKSA1)의 주요 특징과 사양은 무엇인가요?
이 SiC MOSFET는 1200V의 전압 등급, 25°C에서 연속 드레인 전류 225A, 최대 750W의 열손실을 갖추고 있습니다. 고효율 스위칭을 위해 설계되었으며, 최적화된 Rds 온(108A, 18V 기준 최대 9.9mΩ)을 특징으로 합니다.
Infineon SIC 디스크리트 MOSFET는 고온 환경뿐만 아니라 다양한 산업용 응용 분야에 적합한가요?
네, 이 MOSFET는 -55°C부터 175°C까지의 온도 범위에서 작동 가능하여 전력전자 및 산업용 고온 환경에서도 신뢰성 있게 사용할 수 있습니다.
SiCFET 기술이 기존 실리콘 소자에 비해 이 MOSFET에 어떤 이점을 제공하나요?
실리콘 카바이드(SiC) 기술은 스위칭 손실이 적고, 효율이 높으며, 열 성능이 뛰어나 에너지 소비를 줄이고 전력 변환 시스템의 신뢰성을 향상시킵니다.
이 MOSFET는 어떤 종류의 패키지와 장착 옵션을 제공하며, 관통형 조립이 가능한가요?
이 MOSFET는 PG-TO247-4 패키지로 제공되며, 관통형 조립이 가능하여 견고한 기계적 지지와 우수한 열 관리를 제공합니다.
이 MOSFET를 원 제조사인 Infineon에서 구매하는 것이 어떤 이점이 있나요?
직접 구매 시 정품이고 고품질의 제품을 받으며, 신뢰할 수 있는 기술 지원과 함께 RoHS, REACH와 같은 국제 표준을 준수하는 성능을 보장받을 수 있습니다.
품질 보증 (QC)
DiGi은 전문 검수와 배치 샘플링을 통해 모든 전자 부품의 품질과 진위를 보장하여 신뢰할 수 있는 소싱, 안정적인 성능, 기술 사양 준수를 보장합니다. 이를 통해 고객이 공급망 위험을 줄이고 생산에 신뢰할 수 있는 부품을 사용할 수 있도록 지원합니다.
IMZA120R007M1HXKSA1 CAD Models
Infineon Technologies IMZA120R007M1HXKSA1 PCB symbols & footprints
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