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IPT010N08NM5ATMA1
Infineon Technologies
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
89922 새로운 원본 재고 있음
N-Channel 80 V 43A (Ta), 425A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
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IPT010N08NM5ATMA1
제품 개요
12958110
부품 번호
IPT010N08NM5ATMA1-DG
IPT010N08NM5ATMA1
설명
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8재고
89922 새로운 원본 재고 있음
N-Channel 80 V 43A (Ta), 425A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
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IPT010N08NM5ATMA1 기술 사양
카테고리
트랜지스터, FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
포장
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
80 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
43A (Ta), 425A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
6V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.05mOhm @ 150A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.8V @ 280µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
223 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
16000 pF @ 40 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3.8W (Ta), 375W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-HSOF-8
패키지 / 케이스
8-PowerSFN
기본 제품 번호
IPT010N
데이터 시트 및 문서
데이터시트
IPT010N08NM5
HTML 데이터시트
IPT010N08NM5ATMA1-DG
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
추가 정보
다른 이름들
SP005560711
448-IPT010N08NM5ATMA1DKR
448-IPT010N08NM5ATMA1TR
448-IPT010N08NM5ATMA1CT
표준 패키지
2,000
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
12월 02, 2025
他們的包裝用了很多可再生材料，且完全沒有塑膠味，環保又健康，配送速度也很快，滿意！
12월 02, 2025
Jeder Kauf bei DiGi Electronics bestätigt mich in meiner Entscheidung. Sehr vertrauenswürdig.
12월 02, 2025
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12월 02, 2025
The combination of competitive prices and sturdy packaging is what keeps me coming back.
12월 02, 2025
DiGi Electronics provides premium value at a fraction of the cost of competitors.
12월 02, 2025
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자주 묻는 질문 (FAQ)
Infineon OptiMOS™ N-채널 MOSFET (IPT010N08NM5ATMA1)의 핵심 특징은 무엇인가요?
이 MOSFET는 80V 드레인-소스 전압, 150A에서 1.05mΩ의 낮은 Rds 온 저항을 갖추었으며, 최대 43A(Ta)와 425A(Tc)의 높은 전류를 지원합니다. 표면실장용 PG-HSOF-8 패키지로 설계되어 효율적인 전력 스위칭이 가능하며, -55°C부터 175°C까지 넓은 온도 범위에서 작동합니다.
Infineon IPT010N08NM5ATMA1 MOSFET는 고전류 스위칭 애플리케이션에 적합한가요?
네, 이 MOSFET는 연속 드레인 전류 43A(25°C 기준)와 펄스 전류 425A(Tc 기준)를 지원하여 고전류 스위칭에 적합하며, 전력 관리 및 모터 드라이브와 같은 까다로운 응용 분야에 이상적입니다.
이 MOSFET는 다양한 게이트 구동 전압과 호환되나요?
이 MOSFET는 저 Rds 온 구동을 위해 6V와 10V 구동 전압을 지원하여 게이트 구동 회로 설계에 유연성을 제공하면서 최적의 성능과 효율을 보장합니다.
이 MOSFET를 대량 구매할 수 있나요? 또한 표준 포장으로 제공되나요?
네, 이 제품은 9만 개 이상의 재고를 보유한 대량 재고로 공급되며, 자동화 조립에 적합한 테이프 & 릴(Tape & Reel, TR) 포장으로 제공되어 제조 시 신뢰성을 높입니다.
Infineon IPT010N08NM5ATMA1 MOSFET의 인증 및 환경 준수 사항은 무엇인가요?
이 MOSFET는 RoHS3 규격을 준수하며 REACH 규제에 영향을 받지 않으며, 무제한 습기 민감도 수준(Moisture Sensitivity Level 1, MSL 1)을 갖추어 국제 환경 및 안전 기준을 충족합니다.
품질 보증 (QC)
DiGi은 전문 검수와 배치 샘플링을 통해 모든 전자 부품의 품질과 진위를 보장하여 신뢰할 수 있는 소싱, 안정적인 성능, 기술 사양 준수를 보장합니다. 이를 통해 고객이 공급망 위험을 줄이고 생산에 신뢰할 수 있는 부품을 사용할 수 있도록 지원합니다.
IPT010N08NM5ATMA1 CAD Models
Infineon Technologies IPT010N08NM5ATMA1 PCB symbols & footprints
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