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IPT017N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
42100 새로운 원본 재고 있음
N-Channel 120 V 29A (Ta), 331A (Tc) 3W (Ta), 395W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
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IPT017N12NM6ATMA1
제품 개요
12992708
부품 번호
IPT017N12NM6ATMA1-DG
IPT017N12NM6ATMA1
설명
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V재고
42100 새로운 원본 재고 있음
N-Channel 120 V 29A (Ta), 331A (Tc) 3W (Ta), 395W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
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IPT017N12NM6ATMA1 기술 사양
카테고리
트랜지스터, FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
포장
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
시리즈
OptiMOS™ 6
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
120 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
29A (Ta), 331A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
8V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 150A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.6V @ 275µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
141 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
11000 pF @ 60 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3W (Ta), 395W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-HSOF-8
패키지 / 케이스
8-PowerSFN
기본 제품 번호
IPT017
데이터 시트 및 문서
데이터시트
IPT017N12NM6
HTML 데이터시트
IPT017N12NM6ATMA1-DG
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
추가 정보
다른 이름들
448-IPT017N12NM6ATMA1TR
448-IPT017N12NM6ATMA1CT
448-IPT017N12NM6ATMA1DKR
표준 패키지
2,000
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IPT017N12NM6ATMA1 CAD Models
Infineon Technologies IPT017N12NM6ATMA1 PCB symbols & footprints
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