IPT039N15N5ATMA1 Infineon Technologies
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IPT039N15N5ATMA1

제품 개요

12974925

부품 번호

IPT039N15N5ATMA1-DG
IPT039N15N5ATMA1

설명

OPTIMOS 5 POWER MOSFET

재고

89822 새로운 원본 재고 있음
N-Channel 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3.8W (Ta), 319W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
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IPT039N15N5ATMA1 기술 사양

카테고리 FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET

포장 Tape & Reel (TR)

시리즈 OptiMOS™

제품 상태 Active

FET 유형 N-Channel

기술 MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압(Vdss) 150 V

전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 21A (Ta), 190A (Tc)

구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 8V, 10V

Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 50A, 10V

Vgs(일) (최대) @ Id 4.6V @ 257µA

게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 98 nC @ 10 V

Vgs(최대) ±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7700 pF @ 75 V

FET 기능 -

전력 손실(최대) 3.8W (Ta), 319W (Tc)

작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)

실장 형 Surface Mount

공급업체 장치 패키지 PG-HSOF-8

패키지 / 케이스 8-PowerSFN

데이터 시트 및 문서

데이터시트

IPT039N15N5

HTML 데이터시트

IPT039N15N5ATMA1-DG

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부 ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL) 1 (Unlimited)
REACH 상태 REACH Unaffected
증권 시세 표시기 EAR99
(주)헤수스 8541.29.0095

추가 정보

다른 이름들
448-IPT039N15N5ATMA1DKR
SP005597138
448-IPT039N15N5ATMA1TR
448-IPT039N15N5ATMA1CT
표준 패키지
2,000
DIGI 인증
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