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IRF100P218AKMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
2100 새로운 원본 재고 있음
N-Channel 100 V 209A (Tc) 3.8W (Ta), 556W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
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IRF100P218AKMA1
제품 개요
12949151
부품 번호
IRF100P218AKMA1-DG
IRF100P218AKMA1
설명
MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC재고
2100 새로운 원본 재고 있음
N-Channel 100 V 209A (Tc) 3.8W (Ta), 556W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
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IRF100P218AKMA1 기술 사양
카테고리
트랜지스터, FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
포장
Tube
시리즈
StrongIRFET™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
209A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
6V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.28mOhm @ 100A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.8V @ 278µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
412 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
24000 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3.8W (Ta), 556W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
PG-TO247-3
패키지 / 케이스
TO-247-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
IRF100P218
HTML 데이터시트
IRF100P218AKMA1-DG
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
추가 정보
다른 이름들
SP005537804
448-IRF100P218AKMA1
표준 패키지
25
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IRF100P218AKMA1 CAD Models
Infineon Technologies IRF100P218AKMA1 PCB symbols & footprints
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