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NTH4L028N170M1
onsemi
SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
1160 새로운 원본 재고 있음
N-Channel 1700 V 81A (Tc) 535W (Tc) Through Hole TO-247-4L
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NTH4L028N170M1
제품 개요
13001833
부품 번호
NTH4L028N170M1-DG제조사
onsemi
NTH4L028N170M1
설명
SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER재고
1160 새로운 원본 재고 있음
N-Channel 1700 V 81A (Tc) 535W (Tc) Through Hole TO-247-4L
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NTH4L028N170M1 기술 사양
카테고리
트랜지스터, FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압(Vdss)
1700 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
81A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
20V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
40mOhm @ 60A, 20V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.3V @ 20mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
200 nC @ 20 V
Vgs(최대)
+25V, -15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4230 pF @ 800 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
535W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247-4L
패키지 / 케이스
TO-247-4
기본 제품 번호
NTH4L02
데이터 시트 및 문서
데이터시트
NTH4L028N170M1
HTML 데이터시트
NTH4L028N170M1-DG
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
추가 정보
다른 이름들
488-NTH4L028N170M1
표준 패키지
450
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NTH4L028N170M1 CAD Models
onsemi NTH4L028N170M1 PCB symbols & footprints
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