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NVMFS2D3P04M8LT1G
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MV8 P INITIAL PROGRAM
889091 새로운 원본 재고 있음
P-Channel 40 V 31A (Ta), 222A (Tc) 3.8W (Ta), 205W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS2D3P04M8LT1G

제품 개요

12974262

부품 번호

NVMFS2D3P04M8LT1G-DG

제조사

onsemi
NVMFS2D3P04M8LT1G

설명

MV8 P INITIAL PROGRAM

재고

889091 새로운 원본 재고 있음
P-Channel 40 V 31A (Ta), 222A (Tc) 3.8W (Ta), 205W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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NVMFS2D3P04M8LT1G 기술 사양

카테고리 트랜지스터, FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET

제조사 onsemi

포장 Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

시리즈 -

제품 상태 Active

FET 유형 P-Channel

기술 MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압(Vdss) 40 V

전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 31A (Ta), 222A (Tc)

구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V

Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs(일) (최대) @ Id 2.4V @ 2.7mA

게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 157 nC @ 10 V

Vgs(최대) ±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5985 pF @ 20 V

FET 기능 -

전력 손실(최대) 3.8W (Ta), 205W (Tc)

작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)

Automotive

자격 AEC-Q101

실장 형 Surface Mount

공급업체 장치 패키지 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

패키지 / 케이스 8-PowerTDFN, 5 Leads

데이터 시트 및 문서

데이터시트

NVMFS2D3P04M8L

HTML 데이터시트

NVMFS2D3P04M8LT1G-DG

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부 ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL) 1 (Unlimited)
REACH 상태 REACH Unaffected
증권 시세 표시기 EAR99
(주)헤수스 8541.29.0095

추가 정보

다른 이름들
488-NVMFS2D3P04M8LT1GDKR
488-NVMFS2D3P04M8LT1GTR
488-NVMFS2D3P04M8LT1GCT
표준 패키지
1,500

대체 부품

부품 번호
제조사
구매 가능 수량
부품 번호
단가
대체 유형
NVMFS2D3P04M8LT1G
onsemi
889091
NVMFS2D3P04M8LT1G-DG
0.0222
Parametric Equivalent
RS1G201ATTB1
Rohm Semiconductor
8203
RS1G201ATTB1-DG
1.1217
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자주 묻는 질문 (FAQ)

NVMFS2D3P04M8LT1G P-채널 MOSFET의 주요 특징은 무엇인가요?

NVMFS2D3P04M8LT1G는 40V의 드레인-소스 전압, 연속 드레인 전류 31A, 그리고 30A 및 10V에서 매우 낮은 Rds On인 2.2mΩ를 갖춘 P-채널 MOSFET입니다. 이 제품은 자동차 및 전자 기기의 고효율과 신뢰성 높은 동작을 위해 설계되었습니다.

이 NVMFS2D3P04M8LT1G MOSFET는 자동차용으로 적합한가요?

네, 이 MOSFET는 AEC-Q101 인증을 받아 자동차 애플리케이션에 적합하며, 신뢰성과 온도 저항성(-55°C부터 175°C까지)이 중요한 환경에서도 안정적인 성능을 제공합니다.

NVMFS2D3P04M8LT1G MOSFET의 패키징 옵션은 무엇인가요?

이 제품은 5×6mm 크기의 표면장착형 8-PowerTDFN 패키지로 제공되며, 소형 전자기기 및 자동차 회로 설계에 이상적입니다. 또한 RoHS3 규격을 준수합니다.

NVMFS2D3P04M8LT1G는 전력 소모와 열 조건을 어떻게 처리하나요?

이 MOSFET는 주변 온도에서 최대 3.8W의 열을 방출할 수 있으며, 적절한 방열판이나 열패드 사용 시 최대 205W까지 열 발산이 가능합니다. 작동 온도 범위는 -55°C에서 175°C입니다.

NVMFS2D3P04M8LT1G MOSFET를 어디서 구매할 수 있으며 재고 상황은 어떤가요?

이 제품은 재고가 풍부하며, 신뢰할 수 있는 공급처에서 890,000개 이상 제공되어 신속하고 안정적인 구매가 가능합니다.

품질 보증 (QC)

DiGi은 전문 검수와 배치 샘플링을 통해 모든 전자 부품의 품질과 진위를 보장하여 신뢰할 수 있는 소싱, 안정적인 성능, 기술 사양 준수를 보장합니다. 이를 통해 고객이 공급망 위험을 줄이고 생산에 신뢰할 수 있는 부품을 사용할 수 있도록 지원합니다.

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