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MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
2063 새로운 원본 재고 있음
P-Channel 40 V 4.7A (Ta), 13.2A (Tc) 2.9W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
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NVTFS052P04M8LTAG

제품 개요

12939908

부품 번호

NVTFS052P04M8LTAG-DG

제조사

onsemi
NVTFS052P04M8LTAG

설명

MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN

재고

2063 새로운 원본 재고 있음
P-Channel 40 V 4.7A (Ta), 13.2A (Tc) 2.9W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
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  • 100 0.4176 41.7600
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NVTFS052P04M8LTAG 기술 사양

카테고리 트랜지스터, FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET

제조사 onsemi

포장 Tape & Reel (TR)

시리즈 -

제품 상태 Active

FET 유형 P-Channel

기술 MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압(Vdss) 40 V

전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)

구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V

Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs 69mOhm @ 5A, 10V

Vgs(일) (최대) @ Id 2.4V @ 95µA

게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 6.3 nC @ 10 V

Vgs(최대) ±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 424 pF @ 20 V

FET 기능 -

전력 손실(최대) 2.9W (Ta), 23W (Tc)

작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)

Automotive

자격 AEC-Q101

실장 형 Surface Mount

공급업체 장치 패키지 8-WDFN (3.3x3.3)

패키지 / 케이스 8-PowerWDFN

기본 제품 번호 NVTFS052

데이터 시트 및 문서

데이터시트

NVTFS052P04M8L

HTML 데이터시트

NVTFS052P04M8LTAG-DG

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부 ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL) 1 (Unlimited)
REACH 상태 REACH Unaffected
증권 시세 표시기 EAR99
(주)헤수스 8541.29.0095

추가 정보

다른 이름들
488-NVTFS052P04M8LTAGDKR
488-NVTFS052P04M8LTAGTR
488-NVTFS052P04M8LTAGCT
표준 패키지
1,500

대체 부품

부품 번호
제조사
구매 가능 수량
부품 번호
단가
대체 유형
NVTFWS052P04M8LTAG
onsemi
1900
NVTFWS052P04M8LTAG-DG
0.2721
Parametric Equivalent
NVTFS052P04M8LTAG
onsemi
2063
NVTFS052P04M8LTAG-DG
0.2634
Parametric Equivalent

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