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TK200F04N1L,LXGQ
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
1943 새로운 원본 재고 있음
N-Channel 40 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
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TK200F04N1L,LXGQ
제품 개요
12939605
부품 번호
TK200F04N1L,LXGQ-DG
TK200F04N1L,LXGQ
설명
MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM재고
1943 새로운 원본 재고 있음
N-Channel 40 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
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TK200F04N1L,LXGQ 기술 사양
카테고리
트랜지스터, FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
포장
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
시리즈
U-MOSVIII-H
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
200A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
6V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
0.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
214 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
14920 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
375W (Tc)
작동 온도
175°C
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-220SM(W)
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
TK200F04
데이터 시트 및 문서
데이터시트
TK200F04N1L
HTML 데이터시트
TK200F04N1L,LXGQ-DG
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
3 (168 Hours)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
추가 정보
다른 이름들
TK200F04N1L,LXGQ(O
264-TK200F04N1LLXGQCT
264-TK200F04N1LLXGQDKR
264-TK200F04N1LLXGQTR
표준 패키지
1,000
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TK200F04N1L,LXGQ CAD Models
Toshiba Semiconductor and Storage TK200F04N1L,LXGQ PCB symbols & footprints
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