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TK33S10N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
3050 새로운 원본 재고 있음
N-Channel 100 V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+
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TK33S10N1L,LQ
제품 개요
12943189
부품 번호
TK33S10N1L,LQ-DG
TK33S10N1L,LQ
설명
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK재고
3050 새로운 원본 재고 있음
N-Channel 100 V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+
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TK33S10N1L,LQ 기술 사양
카테고리
트랜지스터, FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
포장
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
시리즈
U-MOSVIII-H
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
33A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 500µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2250 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
125W (Tc)
작동 온도
175°C
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
DPAK+
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
TK33S10
데이터 시트 및 문서
데이터시트
TK33S10N1L
HTML 데이터시트
TK33S10N1L,LQ-DG
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
추가 정보
다른 이름들
264-TK33S10N1L,LQDKR
264-TK33S10N1LLQTR
264-TK33S10N1LLQCT
264-TK33S10N1L,LQDKR-DG
264-TK33S10N1LLQDKR
표준 패키지
2,000
대체 부품
부품 번호
제조사
구매 가능 수량
부품 번호
단가
대체 유형
TK33S10N1L,LXHQ
Toshiba Semiconductor and Storage
4677
TK33S10N1L,LXHQ-DG
0.4426
Parametric Equivalent
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품질 보증 (QC)
DiGi은 전문 검수와 배치 샘플링을 통해 모든 전자 부품의 품질과 진위를 보장하여 신뢰할 수 있는 소싱, 안정적인 성능, 기술 사양 준수를 보장합니다. 이를 통해 고객이 공급망 위험을 줄이고 생산에 신뢰할 수 있는 부품을 사용할 수 있도록 지원합니다.
TK33S10N1L,LQ CAD Models
Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1L,LQ PCB symbols & footprints
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