TPHR6503PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
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TPHR6503PL1,LQ

제품 개요

12994845

부품 번호

TPHR6503PL1,LQ-DG
TPHR6503PL1,LQ

설명

UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ

재고

67782 새로운 원본 재고 있음
N-Channel 30 V 150A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
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TPHR6503PL1,LQ 기술 사양

카테고리 FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET

포장 Tape & Reel (TR)

시리즈 U-MOSIX-H

제품 상태 Active

FET 유형 N-Channel

기술 MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압(Vdss) 30 V

전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 150A (Tc)

구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V

Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs 0.65mOhm @ 50A, 10V

Vgs(일) (최대) @ Id 2.1V @ 1mA

게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 110 nC @ 10 V

Vgs(최대) ±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 10000 pF @ 15 V

FET 기능 -

전력 손실(최대) 960mW (Ta), 210W (Tc)

작동 온도 175°C

실장 형 Surface Mount

공급업체 장치 패키지 8-SOP Advance (5x5.75)

패키지 / 케이스 8-PowerTDFN

데이터 시트 및 문서

데이터시트

TPHR6503PL1

HTML 데이터시트

TPHR6503PL1,LQ-DG

환경 및 수출 분류

수분 민감도 수준(MSL) 1 (Unlimited)
증권 시세 표시기 EAR99
(주)헤수스 8541.29.0095

추가 정보

다른 이름들
264-TPHR6503PL1LQDKR
264-TPHR6503PL1LQCT
TPHR6503PL1,LQ(M
264-TPHR6503PL1LQTR
표준 패키지
5,000
DIGI 인증
블로그 & 게시물