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SI2387DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
15100 새로운 원본 재고 있음
P-Channel 80 V 2.1A (Ta), 3A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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SI2387DS-T1-GE3
제품 개요
12959113
부품 번호
SI2387DS-T1-GE3-DG제조사
Vishay Siliconix
SI2387DS-T1-GE3
설명
P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1재고
15100 새로운 원본 재고 있음
P-Channel 80 V 2.1A (Ta), 3A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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SI2387DS-T1-GE3 기술 사양
카테고리
트랜지스터, FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
포장
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
시리즈
TrenchFET® Gen IV
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
80 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2.1A (Ta), 3A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
164mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
10.2 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
395 pF @ 40 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
SI2387DS
HTML 데이터시트
SI2387DS-T1-GE3-DG
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
추가 정보
다른 이름들
742-SI2387DS-T1-GE3CT
742-SI2387DS-T1-GE3TR
표준 패키지
3,000
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
12월 02, 2025
포장 재료가 친환경적이라 환경 보호에 도움을 주는 것 같아 기뻤어요.
12월 02, 2025
Une marque que je recommande pour des produits à la fois économiques et performants.
12월 02, 2025
Le support après-vente de cette entreprise est au top, leur équipe est agréable et efficace.
12월 02, 2025
物流の効率化により、コストと時間の両方を節約できました。
12월 02, 2025
商品の品質は抜群で、配送もとても早かったです。素晴らしい体験でした！
12월 02, 2025
Rapid shipping with sturdy, safe packaging—couldn't ask for more.
12월 02, 2025
They consistently demonstrate professionalism in both support and shipping.
12월 02, 2025
Overall, their excellent after-sales support and inventory management make them our preferred supplier.
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자주 묻는 질문 (FAQ)
Vishay SI2387DS-T1-GE3 P-채널 MOSFET의 주요 특징은 무엇인가요?
Vishay SI2387DS-T1-GE3는 80V의 전압 등급을 갖춘 P-채널 MOSFET로, 25°C에서 연속 드레인 전류가 2.1A이며, 10V에서 저항값 Rds 온이 164mΩ인 저온 저항 특성을 갖추고 있습니다. 표면실장용 SOT-23 패키지로 설계되었으며, 트렌치 기술을 활용하여 효율적인 스위칭 성능을 제공합니다.
Vishay SI2387DS-T1-GE3는 고주파 스위칭 애플리케이션에 적합한가요?
네, 이 MOSFET는 게이트 전하량이 10.2nC(10V 기준)로 낮고, 입력 커패시턴스가 395pF(40V 기준)로 적어 고속 스위칭 및 전력 효율 관리에 적합하여 다양한 전자기기에 활용할 수 있습니다.
이 P-채널 MOSFET인 SI2387DS-T1-GE3는 전자회로에서 주로 어떤 용도로 사용되나요?
이 P-채널 MOSFET는 과부하 차단, 전원 관리, 고측 스위칭 등으로 활용되며, 높은 전압 내성과 낮은 온 저항 덕분에 가전제품, 자동차, 산업용 기기 등 다양한 분야에서 이상적입니다.
Vishay SI2387DS-T1-GE3는 표준 표면실장 조립 공정에 적합한가요?
네, 이 제품은 널리 사용되는 SOT-23-3 패키지로 제공되어 표면실장 기술과 호환되며, 표준 PCB 조립 및 자동화 제조 공정에 적합합니다.
Vishay SI2387DS-T1-GE3 MOSFET에 대한 사후 지원은 어떤 것이 있나요?
제품이 Vishay에서 제조되고 재고가 확보되어 있으며, 활성 상태이기 때문에 기술 지원, 데이터시트, 보증 서비스는 주로 공인 유통업체 또는 Vishay 고객 서비스 채널을 통해 제공됩니다.
품질 보증 (QC)
DiGi은 전문 검수와 배치 샘플링을 통해 모든 전자 부품의 품질과 진위를 보장하여 신뢰할 수 있는 소싱, 안정적인 성능, 기술 사양 준수를 보장합니다. 이를 통해 고객이 공급망 위험을 줄이고 생산에 신뢰할 수 있는 부품을 사용할 수 있도록 지원합니다.
SI2387DS-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SI2387DS-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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