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SIDR680ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAK
9624 새로운 원본 재고 있음
N-Channel 80 V 30.7A (Ta), 137A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
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제품 개요

12939824

부품 번호

SIDR680ADP-T1-RE3-DG
SIDR680ADP-T1-RE3

설명

MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAK

재고

9624 새로운 원본 재고 있음
N-Channel 80 V 30.7A (Ta), 137A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
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SIDR680ADP-T1-RE3 기술 사양

카테고리 트랜지스터, FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET

제조사 Vishay

포장 Tape & Reel (TR)

시리즈 TrenchFET® Gen IV

제품 상태 Active

FET 유형 N-Channel

기술 MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압(Vdss) 80 V

전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 30.7A (Ta), 137A (Tc)

구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 7.5V, 10V

Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs 2.88mOhm @ 20A, 10V

Vgs(일) (최대) @ Id 3.5V @ 250µA

게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 83 nC @ 10 V

Vgs(최대) ±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4415 pF @ 40 V

FET 기능 -

전력 손실(최대) 6.25W (Ta), 125W (Tc)

작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)

실장 형 Surface Mount

공급업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8DC

패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8

기본 제품 번호 SIDR680

데이터 시트 및 문서

데이터시트

SIDR680ADP-T1-RE3

HTML 데이터시트

SIDR680ADP-T1-RE3-DG

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부 ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL) 1 (Unlimited)
REACH 상태 Vendor Undefined
증권 시세 표시기 EAR99
(주)헤수스 8541.29.0095

추가 정보

다른 이름들
742-SIDR680ADP-T1-RE3DKR
742-SIDR680ADP-T1-RE3TR
742-SIDR680ADP-T1-RE3CT
표준 패키지
3,000

대체 부품

부품 번호
제조사
구매 가능 수량
부품 번호
단가
대체 유형
RS6N120BHTB1
Rohm Semiconductor
2573
RS6N120BHTB1-DG
0.4224
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