SIHB22N60E-GE3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (462 평가)

SIHB22N60E-GE3

제품 개요

12786144

부품 번호

SIHB22N60E-GE3-DG
SIHB22N60E-GE3

설명

MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

재고

6200 새로운 원본 재고 있음
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
수량
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  • 50 4.8296 241.4800
  • 100 4.8296 482.9600
  • 500 4.8296 2414.8000
  • 1000 4.8296 4829.6000
  • 2000 4.8296 9659.2000
  • 5000 4.8296 24148.0000
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SIHB22N60E-GE3 기술 사양

카테고리 FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET

제조사 Vishay

포장 Tube

시리즈 -

제품 상태 Active

FET 유형 N-Channel

기술 MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압(Vdss) 600 V

전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 21A (Tc)

구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V

Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs 180mOhm @ 11A, 10V

Vgs(일) (최대) @ Id 4V @ 250µA

게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 86 nC @ 10 V

Vgs(최대) ±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1920 pF @ 100 V

FET 기능 -

전력 손실(최대) 227W (Tc)

작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)

실장 형 Surface Mount

공급업체 장치 패키지 TO-263 (D2PAK)

패키지 / 케이스 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

기본 제품 번호 SIHB22

데이터 시트 및 문서

HTML 데이터시트

SIHB22N60E-GE3-DG

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부 ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL) 1 (Unlimited)
증권 시세 표시기 EAR99
(주)헤수스 8541.29.0095

추가 정보

다른 이름들
SIHB22N60EGE3
표준 패키지
50

대체 모델

부품 번호
제조사
구매 가능 수량
부품 번호
단가
대체 유형
R6020KNJTL
Rohm Semiconductor
1944
R6020KNJTL-DG
1.4700
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4100
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5100
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2.4237
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831
R6024ENJTL-DG
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2180
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