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SIZ270DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR
695990 새로운 원본 재고 있음
Mosfet Array 100V 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3)
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SIZ270DT-T1-GE3
제품 개요
12939803
부품 번호
SIZ270DT-T1-GE3-DG제조사
Vishay Siliconix
SIZ270DT-T1-GE3
설명
MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR재고
695990 새로운 원본 재고 있음
Mosfet Array 100V 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc) 4.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (3.3x3.3)
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SIZ270DT-T1-GE3 기술 사양
카테고리
트랜지스터, FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
포장
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
시리즈
TrenchFET® Gen IV
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
27nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
860pF @ 50V, 845pF @ 50V
전력 - 최대
4.3W (Ta), 33W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-PowerWDFN
공급업체 장치 패키지
8-PowerPair® (3.3x3.3)
기본 제품 번호
SIZ270
데이터 시트 및 문서
HTML 데이터시트
SIZ270DT-T1-GE3-DG
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
Vendor Undefined
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
추가 정보
다른 이름들
742-SIZ270DT-T1-GE3CT
742-SIZ270DT-T1-GE3DKR
742-SIZ270DT-T1-GE3TR
표준 패키지
3,000
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
12월 02, 2025
일처리 속도와 친절도가 정말 뛰어나요. 고객의 요구에 늘 귀 기울여 주셔서 감사했어요.
12월 02, 2025
售後服務細心周到，遇到問題店家都積極協助解決，體驗非常好。
12월 02, 2025
產品的耐用性非常棒，歷經多次使用仍然保持良好狀態，證明他們對品質的堅持。
12월 02, 2025
I’m impressed by their cost-effective offerings and eco-friendly approach to packaging.
12월 02, 2025
I appreciate their punctual shipping; it helps me plan my projects without delays.
12월 02, 2025
Excellent communication and tracking updates during shipping.
12월 02, 2025
I appreciate how quickly they shipped my order; it was at my doorstep before I even expected.
12월 02, 2025
Their prompt and professional after-sales responses enhance my overall experience.
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자주 묻는 질문 (FAQ)
Vishay SIZ270DT-T1-GE3 MOSFET 어레이의 핵심 특징은 무엇인가요?
Vishay SIZ270DT-T1-GE3는 100V 드레인-소스 전압과 높은 전류 처리 능력을 갖춘 이중 N채널 MOSFET 어레이로서, 8-PowerPair® 패키지를 사용하여 표면실장 응용에 적합합니다. 낮은 Rds 온 저항, 효율적인 전력 소산 및 작동 온도 범위 내에서 신뢰할 수 있는 성능을 제공합니다.
이 Vishay SIZ270DT-T1-GE3 MOSFET 어레이를 전자회로에 어떻게 사용할 수 있나요?
이 MOSFET 어레이는 높은 효율의 스위칭, 전력 관리, 모터 제어 회로에 이상적입니다. 이중 N채널 구조로 인해 간편한 게이트 드라이브와 소형화된 설계가 가능하며, 다양한 전력 전자 시스템에 적합합니다.
Vishay SIZ270DT-T1-GE3는 기존 회로 설계와 호환되나요?
네, 이 MOSFET 어레이는 표준 표면실장 PCB 설계와 호환되며, 최적의 성능을 위해 10V의 게이트 전압이 필요합니다. 높은 전류 스위칭 및 전력 변환 애플리케이션의 일반 요구 사항에 부합하는 사양을 갖추고 있습니다.
Vishay의 TrenchFET® Gen IV MOSFET을 선택했을 때의 장점은 무엇인가요?
TrenchFET® Gen IV MOSFET은 낮은 Rds 온 저항, 향상된 효율, 감소된 전도 손실을 제공하여 시스템 전체 성능을 높입니다. 높은 온도에서도 안정적인 작동이 가능하며 강력한 전력 처리 능력을 갖추고 있습니다.
Vishay SIZ270DT-T1-GE3 MOSFET 어레이의 구매 및 품질보증 관련 정보를 알고 싶어요.
이 MOSFET 어레이는 재고가 있으며, 새롭고 정품이며 RoHS3 적합, 무제한 습기 민감도 등급을 갖추고 있습니다. A/S 또는 보증이 필요하실 경우, 판매처 또는 Vishay 공식 고객센터를 참고하시기 바랍니다.
품질 보증 (QC)
DiGi은 전문 검수와 배치 샘플링을 통해 모든 전자 부품의 품질과 진위를 보장하여 신뢰할 수 있는 소싱, 안정적인 성능, 기술 사양 준수를 보장합니다. 이를 통해 고객이 공급망 위험을 줄이고 생산에 신뢰할 수 있는 부품을 사용할 수 있도록 지원합니다.
SIZ270DT-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIZ270DT-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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