SQJ403BEEP-T1_GE3 Vishay Siliconix
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SQJ403BEEP-T1_GE3

제품 개요

12786294

부품 번호

SQJ403BEEP-T1_GE3-DG
SQJ403BEEP-T1_GE3

설명

MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8

재고

100200 새로운 원본 재고 있음
P-Channel 30 V 30A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SQJ403BEEP-T1_GE3 기술 사양

카테고리 FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET

제조사 Vishay

포장 Tape & Reel (TR)

시리즈 TrenchFET®

제품 상태 Active

FET 유형 P-Channel

기술 MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압(Vdss) 30 V

전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 30A (Tc)

구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V

Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(일) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA

게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 164 nC @ 10 V

Vgs(최대) ±20V

FET 기능 -

전력 손실(최대) 68W (Tc)

작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)

Automotive

자격 AEC-Q101

실장 형 Surface Mount

공급업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8

패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8

기본 제품 번호 SQJ403

데이터 시트 및 문서

데이터시트

SQJ403BEEP

HTML 데이터시트

SQJ403BEEP-T1_GE3-DG

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부 ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL) 1 (Unlimited)
증권 시세 표시기 EAR99
(주)헤수스 8541.29.0095

추가 정보

다른 이름들
SQJ403BEEP-T1_GE3TR
SQJ403BEEP-T1_GE3CT
SQJ403BEEP-T1_GE3DKR
표준 패키지
3,000
DIGI 인증
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