SUM110N06-3M9H-E3 Vishay Siliconix
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SUM110N06-3M9H-E3

제품 개요

12786136

부품 번호

SUM110N06-3M9H-E3-DG
SUM110N06-3M9H-E3

설명

MOSFET N-CH 60V 110A TO263

재고

13800 새로운 원본 재고 있음
N-Channel 60 V 110A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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SUM110N06-3M9H-E3 기술 사양

카테고리 FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET

제조사 Vishay

포장 -

시리즈 TrenchFET®

제품 상태 Obsolete

FET 유형 N-Channel

기술 MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압(Vdss) 60 V

전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 110A (Tc)

구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V

Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(일) (최대) @ Id 4.5V @ 250µA

게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 300 nC @ 10 V

Vgs(최대) ±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 15800 pF @ 25 V

FET 기능 -

전력 손실(최대) 3.75W (Ta), 375W (Tc)

작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)

실장 형 Surface Mount

공급업체 장치 패키지 TO-263 (D2PAK)

패키지 / 케이스 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

기본 제품 번호 SUM110

데이터 시트 및 문서

HTML 데이터시트

SUM110N06-3M9H-E3-DG

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부 ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL) 1 (Unlimited)
증권 시세 표시기 EAR99
(주)헤수스 8541.29.0095

추가 정보

다른 이름들
SUM110N06-3M9H-E3-DG
SUM110N063M9HE3
SUM110N06-3M9H-E3CT
SUM110N06-3M9H-E3TR
SUM110N06-3M9H-E3DKR
표준 패키지
800

대체 모델

부품 번호
제조사
구매 가능 수량
부품 번호
단가
대체 유형
FDB050AN06A0
onsemi
10265
FDB050AN06A0-DG
1.3958
MFR Recommended
IPB037N06N3GATMA1
Infineon Technologies
14999
IPB037N06N3GATMA1-DG
0.7300
MFR Recommended
PSMN4R6-60BS,118
Nexperia USA Inc.
10374
PSMN4R6-60BS,118-DG
0.8700
MFR Recommended
PSMN004-60B,118
Nexperia USA Inc.
8252
PSMN004-60B,118-DG
1.2200
MFR Recommended
IRF2805SPBF
Infineon Technologies
4866
IRF2805SPBF-DG
0.3006
MFR Recommended
DIGI 인증
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