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SQJ148EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
100300 새로운 원본 재고 있음
N-Channel 40 V 15A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SQJ148EP-T1_GE3
제품 개요
13008614
부품 번호
SQJ148EP-T1_GE3-DG제조사
Vishay Siliconix
SQJ148EP-T1_GE3
설명
MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8재고
100300 새로운 원본 재고 있음
N-Channel 40 V 15A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SQJ148EP-T1_GE3 기술 사양
카테고리
트랜지스터, FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
포장
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
시리즈
TrenchFET®
포장
Tape & Reel (TR)
부품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
15A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
33mOhm @ 7A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
600 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
45W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스
PowerPAK® SO-8
기본 제품 번호
SQJ148
데이터 시트 및 문서
HTML 데이터시트
SQJ148EP-T1_GE3-DG
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
12월 02, 2025
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12월 02, 2025
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자주 묻는 질문 (FAQ)
Vishay SQJ148EP-T1_GE3 N-채널 MOSFET의 주요 특징은 무엇인가요?
Vishay SQJ148EP-T1_GE3는 40V, 15A 용량의 N-채널 파워 MOSFET으로 낮은 Rds On(7A 시 33mΩ, 10V 기준)를 특징으로 하며, 고효율 스위칭 애플리케이션에 적합하고 PowerPAK® SO-8 패키지에 표면 실장할 수 있도록 설계되었습니다.
Vishay SQJ148EP-T1_GE3 MOSFET은 어떤 용도에 적합한가요?
이 MOSFET은 자동차, 전원 관리, 모터 제어 및 신뢰성과 효율성을 요구하는 고성능 전자회로에 이상적이며, -55°C부터 175°C까지의 온도 범위에서 사용할 수 있습니다.
Vishay SQJ148EP-T1_GE3는 표준 게이트 구동 전압과 호환되나요?
네, 이 MOSFET은 4.5V 및 10V 게이트 전압 모두에서 구동 가능하여 다양한 전원 공급 및 제어 회로와의 호환성을 제공합니다.
이 MOSFET에 PowerPAK® SO-8 패키지를 사용하는 장점은 무엇인가요?
PowerPAK® SO-8 패키지는 우수한 열 성능, 소형화된 크기, 신뢰할 수 있는 표면 실장을 제공하여 효율적인 열 방출과 공간 절약이 가능한 설계를 돕습니다.
Vishay SQJ148EP-T1_GE3는 자동차 산업 표준을 충족하나요?
네, 이 MOSFET은 AEC-Q101 표준에 적합하여 신뢰성과 내구성이 요구되는 자동차용 애플리케이션에 사용할 수 있습니다.
품질 보증 (QC)
DiGi은 전문 검수와 배치 샘플링을 통해 모든 전자 부품의 품질과 진위를 보장하여 신뢰할 수 있는 소싱, 안정적인 성능, 기술 사양 준수를 보장합니다. 이를 통해 고객이 공급망 위험을 줄이고 생산에 신뢰할 수 있는 부품을 사용할 수 있도록 지원합니다.
SQJ148EP-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQJ148EP-T1_GE3 PCB symbols & footprints
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