SUD50N03-06AP-T4E3
SUD50N03-06AP-T4E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 90A TO252
5720 새로운 원본 재고 있음
N-Channel 30 V 90A (Tc) 10W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252
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SUD50N03-06AP-T4E3 Vishay Siliconix
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SUD50N03-06AP-T4E3

제품 개요

13010471

부품 번호

SUD50N03-06AP-T4E3-DG
SUD50N03-06AP-T4E3

설명

MOSFET N-CH 30V 90A TO252

재고

5720 새로운 원본 재고 있음
N-Channel 30 V 90A (Tc) 10W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252
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SUD50N03-06AP-T4E3 기술 사양

카테고리 트랜지스터, FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET

제조사 Vishay

포장 -

시리즈 TrenchFET®

포장 Tape & Reel (TR)

부품 상태 Obsolete

FET 유형 N-Channel

기술 MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압(Vdss) 30 V

전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 90A (Tc)

구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V

Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(일) (최대) @ Id 2.4V @ 250µA

게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 95 nC @ 10 V

Vgs(최대) ±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3800 pF @ 15 V

FET 기능 -

전력 손실(최대) 10W (Ta), 83W (Tc)

작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)

실장 형 Surface Mount

공급업체 장치 패키지 TO-252

패키지 / 케이스 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

기본 제품 번호 SUD50

데이터 시트 및 문서

데이터시트

SUD50N03-06AP

HTML 데이터시트

SUD50N03-06AP-T4E3-DG

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부 ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL) 1 (Unlimited)
REACH 상태 REACH Unaffected
증권 시세 표시기 EAR99
(주)헤수스 8541.29.0095

추가 정보

표준 패키지
2,500

대체 모델

부품 번호
제조사
구매 가능 수량
부품 번호
단가
대체 유형
SUD50N03-06AP-E3
Vishay Siliconix
6529
SUD50N03-06AP-E3-DG
0.5688
Parametric Equivalent
TSM040N03CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation
10672
TSM040N03CP ROG-DG
0.4327
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